- porady
- technologia
- często zadawane pytania
- testy
- pojemność mAh
- pojemność znamionowa
- porównanie
- everActive
- trwałość akumulatorków
- efektywność akumulatorków
- napięcie akumulatorka
- skumulowana energia
- baterie vs akumulatorki
- LR03 AAA
- LR6 AA
- eneloop
- AG13 LR1154 LR44
- delta v
- cykle ładowania
- rezystancja wewnętrzna
- stopień naładowania
- CR 2032
- efekt pamięci
- badanie akredytowane
- SR44 357
- baterie słuchowe 675
- SR626 377
- baterie zegarkowe
- polaryzacja
- mAh
- pasywacja
- ls 14250
- ls 14500
Pamięci FLASH
2019-08-30
Klasyfikacja pamięci flash w zależności od wykorzystanego typu bramki logicznej:
- pamięć flash typu NOR – wykorzystuje funktor binegacji logicznej (NOR)
- pamięć flash typu NAND – wykorzystuje funktor dysjunkcji logicznej (NAND)
Pamięć flash typu NAND, w stosunku do pamięci typu NOR, ma krótszy czas zapisu i kasowania, większą gęstość upakowania danych, korzystniejszy stosunek kosztu do pojemności oraz dziesięciokrotnie większą trwałość. Jednak główną cechą pamięci tego typu jest sekwencyjny dostęp do danych. Ogranicza to zakres zastosowań tylko jako pamięć masowa, np. w kartach pamięci. Pierwszą kartą pamięci opartą o pamięć flash typu NAND, była karta SmartMedia. Później zaczęto ich używać także w innych typach kart pamięciowych, np. MultiMedia Card, Secure Digital, Memory Stick i xD Picture Card oraz w pamięciach USB (pendrive).
By można było zapisać komórkę pamięci flash, należy ją wcześniej skasować. Nie jest możliwe ponowne zapisanie danych do już zapisanej komórki. Jakkolwiek można odczytać i zapisać dowolną komórkę pamięci, to operacja kasowania umożliwia skasowanie tylko całych bloków komórek. Nie można skasować pojedynczej komórki. Z tego powodu zapis danych nie jest w pełni swobodny. Pamięci te umożliwiają odczyt i zapis dowolnej komórki, ale już nie swobodny zapis/odczyt zawartości, taki jak w przypadku pamięci RAM.
Powyższe ograniczenia powodują pewne trudności w obsłudze dostępu do danych w pamięciach masowych. Zapis musi być skoordynowany z operacją kasowania bloków pamięci. Zazwyczaj jeśli plik ma zostać zaktualizowany lub nadpisany, system zarządzania pamięcią tworzy nową kopię pliku w innym miejscu, oznaczając tylko poprzednią wersję jako bezużyteczną. Taka wersja pliku nadal zajmuje wolne miejsce, jest ono zwalniane jeśli operacja kasowania jest możliwa, czyli w danym bloku pamięci nie ma fragmentu innego pliku. W celu efektywniejszego kasowania bloków pamięci możliwe jest też przenoszenie części innych plików (nie wymagających modyfikacji) w inne miejsce, tak by blok nadawał się do skasowania. Dodatkową komplikacją jest fakt, że operacja kasowania jest znacznie dłuższa niż operacja zapisu i odczytu.
Standardowe pamięci EEPROM pozwalają zapisywać lub kasować tylko jedną komórkę pamięci na raz, co oznacza, że pamięci flash są znacznie szybsze, jeśli system je wykorzystujący zapisuje i odczytuje komórki o różnych adresach w tym samym czasie. Wszystkie rodzaje pamięci EEPROM, w tym pamięci flash, mają technologicznie ograniczoną liczbę cykli kasowania (zapisu) – przekroczenie tej liczby powoduje nieodwracalne uszkodzenia.
Pamięci flash są powszechnie stosowane we wszelkich kartach pamięci, pamięciach USB (pendrive) oraz pamięciach SSD (dysk SSD).
Obecnie w użyciu są następujące karty pamięci stosujące jako nośnik danych pamięć flash:
- MultiMedia Card (MMC)
- Secure Digital (SD)
- Memory Stick (MS)
- CompactFlash (CF)
- SmartMedia (SM)
- xD Picture Card (xD)
Dodaj komentarz